廣東(dōng)达(dá)孚電(diàn)子有限公(gōng)司

EMC(ElectromagneticCompatibility)是(shì)電(diàn)磁兼容，它(tā)包(bāo)括EMI(電(diàn)磁骚擾)和(hé)EMS(電(diàn)磁抗骚擾)。EMC定(dìng)義为(wèi):設備或(huò)系(xì)統在(zài)其(qí)電(diàn)磁环(huán)境中(zhōng)能(néng)正(zhèng)常工作(zuò)且(qiě)不(bù)对(duì)該环(huán)境中(zhōng)的(de)任何設備的(de)任何事(shì)物(wù)構成(chéng)不(bù)能(néng)承受的(de)電(diàn)磁骚擾的(de)能(néng)力。EMC整的(de)稱呼为(wèi)電(diàn)磁兼容。EMP是(shì)指電(diàn)磁脉沖。

EMC=EMI+EMSEMI:電(diàn)磁干(gàn)擾EMS:電(diàn)磁相容性(xìng)(免疫力)

EMI可(kě)分(fēn)为(wèi)傳导Conduction及輻射Radiation两(liǎng)部(bù)分(fēn)，Conduction規範一(yī)般可(kě)分(fēn)为(wèi):FCCPart15JClassB;CISPR22(EN55022,EN61000-3-2,EN61000-3-3)ClassB;國(guó)标(biāo)IT类(GB9254，GB17625)和(hé)AV类(GB13837，GB17625)。FCC測試頻率在(zài)450K-30MHz，CISPR22測試頻率在(zài)150K--30MHz，Conduction可(kě)以(yǐ)用(yòng)頻譜分(fēn)析儀測試，Radiation则必須到(dào)专門(mén)的(de)實(shí)验(yàn)室(shì)測試。其(qí)中(zhōng)EN55022为(wèi)RadiationTest&ConductionTest(傳导&輻射測試);EN61000-3-2为(wèi)HarmonicTest(電(diàn)源諧波測試);EN61000-3-3为(wèi)FlickerTest(電(diàn)壓變(biàn)動(dòng)測試)。CISPR22(ComiteSpecialdesPurturbationsRadioelectrique)應(yìng)用(yòng)于(yú)信(xìn)息技术类裝(zhuāng)置,适用(yòng)于(yú)歐洲(zhōu)和(hé)亞洲(zhōu)地(dì)區(qū);EN55022为(wèi)歐洲(zhōu)标(biāo)準，FCCPart15(FederalCommunicationsCommission)适用(yòng)于(yú)美(měi)國(guó)，EN30220歐洲(zhōu)EMI測試标(biāo)準，功率輻射測試标(biāo)準是(shì)EN55013頻率在(zài)30MHZ-300MHz。

EN55011輻射測試标(biāo)準是(shì)：有的(de)頻率段(duàn)要(yào)求較高(gāo)，有的(de)頻率段(duàn)要(yào)求較低(dī)。傳导(150KHZ-30MHZ)LISN主(zhǔ)要(yào)是(shì)差模電(diàn)流,其(qí)共(gòng)模阻抗为(wèi)100歐姆(50+50);LISN主(zhǔ)要(yào)是(shì)共(gòng)模電(diàn)流,其(qí)總(zǒng)的(de)電(diàn)路(lù)阻抗为(wèi)25歐姆(50//50)。

4線(xiàn)AV60dB/uV150KHZ-2MHZstart9KHZ

5線(xiàn)PEAK100dB/uV150KHZ-3MHZ

6線(xiàn)PEAK100dB/uV2MHZ-30MHZ

7線(xiàn)QP70dB/uV150KHZ-500KHZ

Radiated(30MHZ-1GHZ):ADD4N7/250VYCAP90dB/uV30MHZ-300MHZ

EMI为(wèi)電(diàn)磁干(gàn)擾，EMI是(shì)EMC其(qí)中(zhōng)的(de)一(yī)部(bù)分(fēn)，EMI(ElectronicMagneticInterference)電(diàn)磁干(gàn)擾，EMI包(bāo)括傳导、輻射、電(diàn)流諧波、電(diàn)壓閃爍等等。電(diàn)磁干(gàn)擾是(shì)由干(gàn)擾源、藕合通(tòng)道(dào)和(hé)接收(shōu)器三(sān)部(bù)分(fēn)構成(chéng)的(de)，通(tòng)常稱作(zuò)干(gàn)擾的(de)三(sān)要(yào)素。EMI線(xiàn)性(xìng)正(zhèng)比于(yú)電(diàn)流，電(diàn)流回(huí)路(lù)面(miàn)積以(yǐ)及頻率的(de)平方(fāng)即：EMI=K*I*S*F2。I是(shì)電(diàn)流，S是(shì)回(huí)路(lù)面(miàn)積，F是(shì)頻率，K是(shì)與(yǔ)電(diàn)路(lù)闆材料和(hé)其(qí)他因(yīn)素有關(guān)的(de)一(yī)个(gè)常數。

EMI是(shì)指産品的(de)对(duì)外(wài)電(diàn)磁干(gàn)擾。一(yī)般情(qíng)況下(xià)分(fēn)为(wèi)ClassA&ClassB两(liǎng)个(gè)等級。ClassA为(wèi)工業等級，ClassB为(wèi)民(mín)用(yòng)等級。民(mín)用(yòng)的(de)要(yào)比工業的(de)嚴格，因(yīn)为(wèi)工業用(yòng)的(de)允許輻射稍微大(dà)一(yī)點(diǎn)。同樣(yàng)産品在(zài)測試EMI中(zhōng)的(de)輻射測試来(lái)講，在(zài)30-230MHz下(xià)，B类要(yào)求産品的(de)輻射限值不(bù)能(néng)超过(guò)40dBm而(ér)A类要(yào)求不(bù)能(néng)超过(guò)50dBm(以(yǐ)三(sān)米法(fǎ)電(diàn)波暗(àn)室(shì)測量(liàng)为(wèi)例)相对(duì)要(yào)宽(kuān)松的(de)多(duō)，一(yī)般来(lái)说(shuō)CLASSA是(shì)指在(zài)EMI測試条(tiáo)件(jiàn)下(xià)，無需操作(zuò)人(rén)員介入(rù)，設備能(néng)按預期(qī)持(chí)續正(zhèng)常工作(zuò)，不(bù)允許出(chū)現(xiàn)低(dī)于(yú)規定(dìng)的(de)性(xìng)能(néng)等級的(de)性(xìng)能(néng)降低(dī)或(huò)功能(néng)損失。

EMI是(shì)設備正(zhèng)常工作(zuò)时(shí)測它(tā)的(de)輻射和(hé)傳导。在(zài)測試的(de)时(shí)候，EMI的(de)輻射和(hé)傳导在(zài)接收(shōu)機(jī)上(shàng)有两(liǎng)个(gè)上(shàng)限，分(fēn)别代(dài)表ClassA和(hé)ClassB，如(rú)果(guǒ)觀察的(de)波形超过(guò)B的(de)線(xiàn)但是(shì)低(dī)于(yú)A的(de)線(xiàn)，那(nà)麼(me)産品就(jiù)是(shì)A类的(de)。EMS是(shì)用(yòng)測試設備对(duì)産品干(gàn)擾，觀察産品在(zài)干(gàn)擾下(xià)能(néng)否正(zhèng)常工作(zuò)，如(rú)果(guǒ)正(zhèng)常工作(zuò)或(huò)不(bù)出(chū)現(xiàn)超过(guò)标(biāo)準規定(dìng)的(de)性(xìng)能(néng)下(xià)降，为(wèi)A級。能(néng)自(zì)動(dòng)重(zhòng)啟且(qiě)重(zhòng)啟後(hòu)不(bù)出(chū)現(xiàn)超过(guò)标(biāo)準規定(dìng)的(de)性(xìng)能(néng)下(xià)降，为(wèi)B級。不(bù)能(néng)自(zì)動(dòng)重(zhòng)啟需人(rén)为(wèi)重(zhòng)啟为(wèi)C級，挂掉为(wèi)D級。國(guó)标(biāo)有D級的(de)規定(dìng)，EN只有A，B，C。EMI在(zài)工作(zuò)頻率的(de)奇數倍是(shì)最(zuì)不(bù)好(hǎo)过(guò)的(de)。

EMS(ElectmmagneticSuseeptibilkr)電(diàn)磁敏感(gǎn)度(dù)一(yī)般俗稱为(wèi)“電(diàn)磁免疫力”,是(shì)設備抗外(wài)界骚擾干(gàn)擾之(zhī)能(néng)力，EMI是(shì)設備对(duì)外(wài)的(de)骚擾。EMS中(zhōng)的(de)等級是(shì)指：ClassA，測試完成(chéng)後(hòu)設備仍在(zài)正(zhèng)常工作(zuò);ClassB，測試完成(chéng)或(huò)測試中(zhōng)需要(yào)重(zhòng)啟後(hòu)可(kě)以(yǐ)正(zhèng)常工作(zuò);ClassC，需要(yào)人(rén)为(wèi)調整後(hòu)可(kě)以(yǐ)正(zhèng)常重(zhòng)啟並(bìng)正(zhèng)常工作(zuò);ClassD，設備已損壞，無論怎樣(yàng)調整也(yě)無法(fǎ)啟動(dòng)。嚴格程度(dù)EMI是(shì)B>A，EMS是(shì)A>B>C>D。

EMS部(bù)份为(wèi)EN55024包(bāo)含7項測試：

EN61000-4-2:1998;EN61000-4-3:1998;EN61000-4-4:1995,EN61000-4-5:1995;EN61000-4-6：1996;EN61000-4-8:1993;EN61000-4-11:1994。

EMC檢測主(zhǔ)要(yào)項目:

空(kōng)間(jiān)輻射(Radiation):EN55011,13,22FCCPart15&18,VCC

傳导干(gàn)擾(Conduction):EN55011,13,14-1,15,22,FCCPart15&18,VCCI

喀呖聲(Click):EN55014-1

功率輻射(PowerClamp):EN55013,14-1

磁场(chǎng)輻射(MagneticEmission):EN55011,15

低(dī)頻干(gàn)擾(LowFrequencyImmunity):EN50091-2

静(jìng)電(diàn)放(fàng)電(diàn)(ESD):IEC61000-4-2、EN61000-4-2、GB/T17626.2

輻射抗擾度(dù)(R/S):IEC61000-4-3、EN61000-4-3、GB/T17626.3e;TEXT-INDENT:2em;MARGIN:10px25px0px;PADDING-LEFT:0px;PADDING-RIGHT:0px;FONT:14px/22px宋體(tǐ),Georgia,verdana,serif;WHITE-SPACE:normal;ORPHANS:2;LETTER-SPACING:normal;COLOR:rgb(68,68,68);WORD-SPACING:0px;PADDING-TOP:0px;-webkit-text-size-adjust:auto;-webkit-text-stroke-width:0px">脉沖群(qún)抗擾度(dù)(EFT/B):IEC61000-4-4、EN61000-4-4、GB/T17626.4

浪湧抗擾度(dù)(SURGE):IEC61000-4-5、EN61000-4-5、GB/T17626.5

傳导骚擾抗擾度(dù)(C/S):IEC61000-4-6、EN61000-4-6、GB/T17626.6

工頻磁场(chǎng)抗擾度(dù)(M/S):IEC61000-4-8、EN61000-4-8、GB/T17626.8

電(diàn)壓跌落(là)(DIPS):IEC61000-4-11、EN61000-4-11、GB/T17626.11

諧波電(diàn)流(Harmonic):IEC61000-3-2、EN61000-3-2

電(diàn)壓閃爍(Flicker):IEC61000-3-3、EN61000-3-3

輻射干(gàn)擾(RadiatedInterference)是(shì)通(tòng)过(guò)空(kōng)間(jiān)並(bìng)以(yǐ)電(diàn)磁波的(de)特(tè)性(xìng)和(hé)規律傳播的(de)。但不(bù)是(shì)任何裝(zhuāng)置都能(néng)輻射電(diàn)磁波的(de)。傳导干(gàn)擾(ConductedInterference)是(shì)沿着导體(tǐ)傳播的(de)干(gàn)擾。所(suǒ)以(yǐ)傳导干(gàn)擾的(de)傳播要(yào)求在(zài)干(gàn)擾源和(hé)接收(shōu)器之(zhī)間(jiān)有一(yī)完整的(de)電(diàn)路(lù)連(lián)接。電(diàn)磁兼容三(sān)要(yào)素：任何電(diàn)磁兼容性(xìng)問(wèn)題(tí)都包(bāo)含三(sān)个(gè)要(yào)素，即干(gàn)擾源、敏感(gǎn)源和(hé)耦合路(lù)徑，这(zhè)三(sān)个(gè)要(yào)素中(zhōng)缺少(shǎo)一(yī)个(gè)，電(diàn)磁兼容問(wèn)題(tí)就(jiù)不(bù)会(huì)存在(zài)。

産生(shēng)電(diàn)磁干(gàn)擾的(de)条(tiáo)件(jiàn):突然變(biàn)化(huà)的(de)電(diàn)壓或(huò)電(diàn)流，即dV/dt或(huò)dI/dt很大(dà);輻射天(tiān)線(xiàn)或(huò)傳导导體(tǐ)。

電(diàn)磁兼容标(biāo)準对(duì)設備的(de)要(yào)求有两(liǎng)个(gè)方(fāng)面(miàn)：一(yī)个(gè)是(shì)工作(zuò)时(shí)不(bù)会(huì)对(duì)外(wài)界産生(shēng)不(bù)良的(de)電(diàn)磁干(gàn)擾影響，另(lìng)一(yī)个(gè)是(shì)不(bù)能(néng)对(duì)外(wài)界的(de)電(diàn)磁干(gàn)擾过(guò)度(dù)敏感(gǎn)。前(qián)一(yī)个(gè)方(fāng)面(miàn)的(de)要(yào)求稱为(wèi)干(gàn)擾發(fà)射要(yào)求，後(hòu)一(yī)个(gè)方(fāng)面(miàn)的(de)要(yào)求稱为(wèi)敏感(gǎn)度(dù)要(yào)求。電(diàn)磁能(néng)量(liàng)從設備內(nèi)傳出(chū)或(huò)從外(wài)界傳入(rù)設備的(de)途徑只有两(liǎng)个(gè)，一(yī)个(gè)是(shì)以(yǐ)電(diàn)磁波的(de)形式從空(kōng)間(jiān)傳播，另(lìng)一(yī)个(gè)是(shì)以(yǐ)電(diàn)流的(de)形式沿导線(xiàn)傳播。因(yīn)此(cǐ)，電(diàn)磁干(gàn)擾發(fà)射可(kě)以(yǐ)分(fēn)为(wèi)：傳导發(fà)射和(hé)輻射發(fà)射;敏感(gǎn)度(dù)也(yě)可(kě)以(yǐ)分(fēn)为(wèi)傳导敏感(gǎn)度(dù)和(hé)輻射敏感(gǎn)度(dù)。

電(diàn)磁兼容标(biāo)準分(fēn)为(wèi)基礎标(biāo)準、通(tòng)用(yòng)标(biāo)準、産品类标(biāo)準和(hé)专用(yòng)産品标(biāo)準。基礎标(biāo)準：描述了EMC現(xiàn)象(xiàng)、規定(dìng)了EMC測試方(fāng)法(fǎ)、設備，定(dìng)義了等級和(hé)性(xìng)能(néng)判據(jù)。基礎标(biāo)準不(bù)涉及具體(tǐ)産品。産品类标(biāo)準：針(zhēn)对(duì)某種(zhǒng)産品系(xì)列的(de)EMC測試标(biāo)準。往往引用(yòng)基礎标(biāo)準，但根(gēn)據(jù)産品的(de)特(tè)殊性(xìng)提(tí)出(chū)更(gèng)詳细(xì)的(de)規定(dìng)。通(tòng)用(yòng)标(biāo)準：按照設備使用(yòng)环(huán)境劃(huà)分(fēn)的(de)，當産品沒(méi)有特(tè)定(dìng)的(de)産品类标(biāo)準可(kě)以(yǐ)遵循时(shí)，使用(yòng)通(tòng)用(yòng)标(biāo)準来(lái)進(jìn)行EMC測試。对(duì)使設備的(de)功能(néng)完全(quán)正(zhèng)常，也(yě)要(yào)滿足这(zhè)些(xiē)标(biāo)準的(de)要(yào)求。

IEC(國(guó)際電(diàn)工委員会(huì))：有两(liǎng)个(gè)平行的(de)組織制訂EMC标(biāo)準，CISPR和(hé)TC77。

CISPR(國(guó)際無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾特(tè)别委員会(huì))：1934年(nián)成(chéng)立。目前(qián)有七(qī)个(gè)分(fēn)会(huì)：A分(fēn)会(huì)(無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾測量(liàng)方(fāng)法(fǎ)與(yǔ)統計(jì)方(fāng)法(fǎ))、B分(fēn)会(huì)(工、科、醫療射頻設備的(de)無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾)、C分(fēn)会(huì)(電(diàn)力線(xiàn)、高(gāo)壓設備和(hé)電(diàn)牽引系(xì)統的(de)無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾)、D分(fēn)会(huì)(機(jī)動(dòng)車和(hé)內(nèi)燃機(jī)的(de)無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾)、E分(fēn)会(huì)(無線(xiàn)接收(shōu)設備干(gàn)擾特(tè)性(xìng))、F分(fēn)会(huì)(家(jiā)電(diàn)、電(diàn)動(dòng)工具、照明(míng)設備及类似電(diàn)器的(de)無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾)、G分(fēn)会(huì)(信(xìn)息設備的(de)無線(xiàn)電(diàn)干(gàn)擾)。

TC77(第(dì)77技术委員会(huì))：1981年(nián)成(chéng)立。目前(qián)有3个(gè)分(fēn)会(huì)：SC77A(低(dī)頻現(xiàn)象(xiàng))、SC77B(高(gāo)頻現(xiàn)象(xiàng))、SC77C(对(duì)高(gāo)空(kōng)核電(diàn)磁脉沖的(de)抗擾性(xìng))。

CENELEC(歐洲(zhōu)電(diàn)工标(biāo)準化(huà)委員会(huì))：由歐共(gòng)體(tǐ)委員会(huì)授權制訂歐洲(zhōu)标(biāo)準。EN标(biāo)準中(zhōng)引用(yòng)了很多(duō)CISPR和(hé)IEC标(biāo)準，其(qí)对(duì)應(yìng)關(guān)系(xì)如(rú)下(xià)：

EN55×××=CISPR标(biāo)準，(例：EN55011=CISPRPub.11)

EN6××××=IEC标(biāo)準，(例：EN61000-4-3=IEC61000-4-3Pub.11)

EN50×××=CENELEC自(zì)定(dìng)标(biāo)準，(例：EN50801)

FCC(聯邦通(tòng)信(xìn)委員会(huì))全(quán)名为(wèi)FederalCommunicationsCommission：是(shì)管(guǎn)理(lǐ)電(diàn)腦,周邊(biān)及通(tòng)信(xìn)産品等銷售美(měi)國(guó)之(zhī)審核授權機(jī)抅,主(zhǔ)要(yào)制訂民(mín)用(yòng)産品标(biāo)準，關(guān)于(yú)電(diàn)磁兼容的(de)标(biāo)準主(zhǔ)要(yào)包(bāo)括在(zài)FCCPart15和(hé)FCCPart18中(zhōng)。

FCCPart15subpartB規定(dìng):凡利用(yòng)數位(wèi)技术之(zhī)電(diàn)子裝(zhuāng)置或(huò)系(xì)統,及使用(yòng)或(huò)産生(shēng)脉波頻率超过(guò)10KHz之(zhī)器材,皆須依規定(dìng)進(jìn)行測試認證後(hòu),才可(kě)以(yǐ)在(zài)美(měi)國(guó)市(shì)场(chǎng)銷售。

MIL-STD(美(měi)軍标(biāo))：典型的(de)是(shì)MIL-STD–461D。这(zhè)个(gè)标(biāo)準不(bù)僅規定(dìng)了最(zuì)大(dà)輻射發(fà)射和(hé)傳导發(fà)射的(de)限制，還(huán)規定(dìng)了系(xì)統对(duì)輻射和(hé)傳导干(gàn)擾的(de)敏感(gǎn)度(dù)要(yào)求。配套(tào)标(biāo)準MIL-STD-462規定(dìng)了必要(yào)的(de)測試裝(zhuāng)置。商業公(gōng)司經(jīng)常将MIL-STD-461中(zhōng)的(de)某些(xiē)部(bù)分(fēn)作(zuò)为(wèi)産品內(nèi)部(bù)EMC規範。

VCCI(干(gàn)擾自(zì)愿控制委員会(huì))：民(mín)間(jiān)機(jī)構，其(qí)标(biāo)準與(yǔ)CISPR和(hé)IEC一(yī)致(zhì)。

GB(中(zhōng)國(guó)國(guó)家(jiā)标(biāo)準)：基本(běn)采用(yòng)CISPR和(hé)IEC标(biāo)準，目前(qián)已發(fà)布(bù)57个(gè)。

GJB(中(zhōng)國(guó)軍用(yòng)标(biāo)準)：基本(běn)采用(yòng)美(měi)軍标(biāo)，例如(rú)GJB151A=MIL-STD–461D。軍用(yòng)設備

为(wèi)軍用(yòng)設計(jì)的(de)電(diàn)子系(xì)統必須滿足MIL-STD-461D的(de)要(yào)求，另(lìng)一(yī)个(gè)關(guān)于(yú)EMI的(de)軍用(yòng)标(biāo)準是(shì)保密的(de)TEMPEST計(jì)劃(huà)，这(zhè)是(shì)用(yòng)来(lái)保證保密通(tòng)信(xìn)系(xì)統安(ān)全(quán)的(de)。現(xiàn)在(zài)可(kě)以(yǐ)接收(shōu)並(bìng)複現(xiàn)出(chū)大(dà)多(duō)數電(diàn)子設備政(zhèng)黨工作(zuò)时(shí)所(suǒ)發(fà)射的(de)功率很低(dī)的(de)射頻信(xìn)号(hào)。象(xiàng)对(duì)電(diàn)子竊听(tīng)很脆弱(ruò)的(de)CRT終(zhōng)端那(nà)樣(yàng)的(de)軍用(yòng)産品就(jiù)屬于(yú)TEMPEST的(de)範疇。在(zài)實(shí)踐中(zhōng)，TEMPEST控制設備和(hé)系(xì)統的(de)發(fà)射，使無法(fǎ)解(jiě)譯攜带信(xìn)息的(de)信(xìn)号(hào)。

CE标(biāo)示:源自(zì)歐共(gòng)體(tǐ)各(gè)会(huì)員國(guó)(EuropeanCommunity)縮写(xiě)的(de)總(zǒng)稱,並(bìng)以(yǐ)此(cǐ)为(wèi)标(biāo)志。規範産品是(shì)否符合歐體(tǐ)为(wèi)保障民(mín)衆安(ān)全(quán)健康以(yǐ)及环(huán)境保護等利益所(suǒ)訂定(dìng)之(zhī)基本(běn)安(ān)全(quán)要(yào)求。

CE=EMC+LVDEMC:電(diàn)磁干(gàn)擾及電(diàn)磁相容性(xìng)LVD:低(dī)電(diàn)壓指令

測量(liàng)场(chǎng)地(dì)：GB要(yào)求在(zài)開(kāi)闊场(chǎng)地(dì)中(zhōng)測量(liàng)，GJB要(yào)求在(zài)屏蔽半無反(fǎn)射室(shì)中(zhōng)測量(liàng)，由于(yú)電(diàn)磁环(huán)境日(rì)趨惡化(huà)，開(kāi)闊场(chǎng)中(zhōng)的(de)背景干(gàn)擾往往嚴重(zhòng)影響測量(liàng)，因(yīn)此(cǐ)，GB測量(liàng)也(yě)開(kāi)始(shǐ)在(zài)屏蔽半無反(fǎn)射室(shì)中(zhōng)做，但要(yào)求半無反(fǎn)射室(shì)中(zhōng)的(de)電(diàn)磁场(chǎng)分(fēn)布(bù)與(yǔ)開(kāi)闊场(chǎng)近(jìn)似。

25px0px;PADDING-LEFT:0px;PADDING-RIGHT:0px;FONT:14px/22px宋體(tǐ),Georgia,verdana,serif;WHITE-SPACE:normal;ORPHANS:2;LETTER-SPACING:normal;COLOR:rgb(68,68,68);WORD-SPACING:0px;PADDING-TOP:0px;-webkit-text-size-adjust:auto;-webkit-text-stroke-width:0px">天(tiān)線(xiàn)到(dào)EUT(受試設備)的(de)距離：GB要(yào)求为(wèi)3米、10米或(huò)30米，GJB要(yào)求为(wèi)1米;

測量(liàng)內(nèi)容：GB僅測量(liàng)電(diàn)场(chǎng)輻射發(fà)射，GJB对(duì)電(diàn)场(chǎng)輻射和(hé)磁场(chǎng)輻射都要(yào)測量(liàng);

測量(liàng)頻率範圍：GB規定(dìng)的(de)測量(liàng)範圍为(wèi)30MHz~1GHz，随着时(shí)鐘(zhōng)頻率的(de)升(shēng)高(gāo)，有擴展(zhǎn)到(dào)18GHz的(de)趨勢，GJB規定(dìng)的(de)測量(liàng)頻率範圍为(wèi)10kHz~18GHz。

EUT的(de)布(bù)置：GB和(hé)GJB都要(yào)求EUT按照實(shí)際工作(zuò)狀态布(bù)置(互聯電(diàn)缆(lǎn)和(hé)所(suǒ)連(lián)接的(de)外(wài)部(bù)設備全(quán)部(bù)按實(shí)際狀态連(lián)接)，GB要(yào)求EUT放(fàng)置在(zài)木制測試台(tái)上(shàng)，GJB要(yào)求EUT放(fàng)置在(zài)金(jīn)屬闆上(shàng)。距離地(dì)面(miàn)的(de)距離为(wèi)0.8米;

檢波方(fāng)式：干(gàn)擾測量(liàng)儀的(de)读(dú)數與(yǔ)檢波方(fāng)式有關(guān)，因(yīn)此(cǐ)标(biāo)準中(zhōng)都明(míng)确規定(dìng)檢波方(fāng)式，GB要(yào)求準峰(fēng)值檢波，GJB要(yào)求峰(fēng)值檢波;

最(zuì)大(dà)輻射點(diǎn)：與(yǔ)處(chù)理(lǐ)電(diàn)磁兼容問(wèn)題(tí)的(de)原则相同，僅關(guān)心(xīn)最(zuì)壞情(qíng)況。因(yīn)此(cǐ)，以(yǐ)EUT的(de)最(zuì)大(dà)輻射值为(wèi)測量(liàng)結果(guǒ)。最(zuì)大(dà)輻射值的(de)含義有4个(gè)，第(dì)一(yī)：EUT的(de)工作(zuò)狀态處(chù)于(yú)最(zuì)大(dà)輻射狀态，第(dì)二(èr)：EUT最(zuì)大(dà)輻射面(miàn)对(duì)着天(tiān)線(xiàn)，第(dì)三(sān)：天(tiān)線(xiàn)的(de)极(jí)化(huà)方(fāng)向(xiàng)为(wèi)接收(shōu)最(zuì)大(dà)场(chǎng)強(qiáng)的(de)方(fāng)向(xiàng)，第(dì)四(sì)：天(tiān)線(xiàn)的(de)高(gāo)度(dù)为(wèi)接收(shōu)最(zuì)大(dà)场(chǎng)強(qiáng)的(de)位(wèi)置。GJB中(zhōng)，沒(méi)有第(dì)四(sì)點(diǎn)的(de)要(yào)求，即，天(tiān)線(xiàn)的(de)高(gāo)度(dù)是(shì)固定(dìng)的(de)。

骚擾測量(liàng)設備：用(yòng)来(lái)定(dìng)量(liàng)計(jì)量(liàng)骚擾強(qiáng)度(dù)的(de)設備，可(kě)以(yǐ)是(shì)EMI測量(liàng)接收(shōu)機(jī)，也(yě)可(kě)以(yǐ)是(shì)頻譜分(fēn)析儀，頻率範圍要(yào)覆蓋150KHz~30MHz，具有峰(fēng)值、準峰(fēng)值和(hé)平均值檢波功能(néng)。

線(xiàn)路(lù)阻抗穩定(dìng)网(wǎng)絡(LISN)：由于(yú)電(diàn)源端子傳导發(fà)射的(de)強(qiáng)度(dù)與(yǔ)電(diàn)网(wǎng)的(de)阻抗有關(guān)，因(yīn)此(cǐ)为(wèi)了使測量(liàng)具有唯一(yī)性(xìng)，必須在(zài)特(tè)定(dìng)的(de)阻抗条(tiáo)件(jiàn)下(xià)測量(liàng)，LISN就(jiù)提(tí)供了这(zhè)樣(yàng)一(yī)个(gè)环(huán)境，GB9254标(biāo)準中(zhōng)使用(yòng)的(de)LISN为(wèi)50Ω/50μH。

接地(dì)平闆：受試設備要(yào)放(fàng)置在(zài)接地(dì)金(jīn)屬闆上(shàng)進(jìn)行試验(yàn)，該金(jīn)屬闆比被(bèi)測設備邊(biān)框大(dà)0.5米，最(zuì)小尺(chǐ)寸(cùn)为(wèi)2m×2m。

電(diàn)快(kuài)速脉沖試验(yàn)模拟電(diàn)网(wǎng)中(zhōng)的(de)感(gǎn)性(xìng)負载(zài)断開(kāi)时(shí)産生(shēng)的(de)干(gàn)擾。这(zhè)種(zhǒng)干(gàn)擾不(bù)僅会(huì)出(chū)現(xiàn)在(zài)電(diàn)源線(xiàn)上(shàng)，而(ér)且(qiě)会(huì)耦合到(dào)信(xìn)号(hào)線(xiàn)上(shàng)。因(yīn)此(cǐ)，这(zhè)个(gè)試验(yàn)要(yào)对(duì)電(diàn)源線(xiàn)和(hé)信(xìn)号(hào)線(xiàn)做。設備能(néng)夠通(tòng)过(guò)浪湧試验(yàn)，並(bìng)不(bù)意(yì)味着也(yě)能(néng)通(tòng)过(guò)電(diàn)快(kuài)速脉沖試验(yàn)。一(yī)方(fāng)面(miàn)是(shì)因(yīn)为(wèi)後(hòu)者(zhě)的(de)頻率成(chéng)份遠(yuǎn)高(gāo)于(yú)前(qián)者(zhě)，具備不(bù)同的(de)干(gàn)擾機(jī)理(lǐ)，令一(yī)方(fāng)面(miàn)是(shì)因(yīn)为(wèi)電(diàn)快(kuài)速脉沖試验(yàn)中(zhōng)施加的(de)干(gàn)擾是(shì)重(zhòng)複性(xìng)，这(zhè)对(duì)電(diàn)路(lù)具有一(yī)種(zhǒng)積分(fēn)效應(yìng)，是(shì)電(diàn)路(lù)中(zhōng)的(de)積分(fēn)型抗干(gàn)擾電(diàn)路(lù)實(shí)效。頻譜分(fēn)析儀能(néng)夠快(kuài)速地(dì)在(zài)較宽(kuān)的(de)頻率範圍內(nèi)掃描，因(yīn)此(cǐ)是(shì)診断電(diàn)磁干(gàn)擾發(fà)射的(de)方(fāng)便工具。使用(yòng)頻譜分(fēn)析儀时(shí)需要(yào)注意(yì)的(de)問(wèn)題(tí)：頻譜分(fēn)析儀不(bù)能(néng)觀測瞬間(jiān)干(gàn)擾，如(rú)静(jìng)電(diàn)放(fàng)電(diàn)、雷(léi)電(diàn)等;頻譜分(fēn)析儀的(de)掃描时(shí)間(jiān)不(bù)能(néng)設置得太短(duǎn)，即不(bù)能(néng)使掃描速度(dù)太快(kuài);從頻譜分(fēn)析儀屏幕上(shàng)读(dú)取(qǔ)頻率與(yǔ)幅度(dù)數據(jù)时(shí)，其(qí)精度(dù)與(yǔ)頻譜儀的(de)掃描範圍有關(guān)，範圍越窄(zhǎi)，精度(dù)越高(gāo);當输入(rù)信(xìn)号(hào)过(guò)大(dà)时(shí)，頻譜分(fēn)析儀会(huì)發(fà)生(shēng)过(guò)载(zài)，使读(dú)取(qǔ)的(de)幅度(dù)數據(jù)比實(shí)際的(de)小，用(yòng)输入(rù)衰減器可(kě)以(yǐ)避免过(guò)载(zài);減小頻譜儀的(de)中(zhōng)頻带宽(kuān)可(kě)以(yǐ)提(tí)高(gāo)儀器的(de)靈敏度(dù)(和(hé)選擇性(xìng))，但掃描时(shí)間(jiān)会(huì)更(gèng)长(cháng);宽(kuān)带信(xìn)号(hào)的(de)幅度(dù)会(huì)随着中(zhōng)頻分(fēn)辨带宽(kuān)的(de)增加而(ér)增加。

電(diàn)磁干(gàn)擾(EMI)接收(shōu)機(jī)是(shì)另(lìng)一(yī)種(zhǒng)測量(liàng)電(diàn)磁干(gàn)擾的(de)設備，許多(duō)人(rén)在(zài)選購儀器时(shí)搞不(bù)懂接收(shōu)機(jī)與(yǔ)頻譜儀之(zhī)間(jiān)的(de)區(qū)别，下(xià)面(miàn)做一(yī)簡單比較：

所(suǒ)有的(de)接收(shōu)機(jī)都标(biāo)準配置預選器(頻譜儀需要(yào)選配)，能(néng)夠有效地(dì)抑制带外(wài)噪聲;所(suǒ)有的(de)接收(shōu)機(jī)用(yòng)基頻混頻方(fāng)式(頻譜儀使用(yòng)基頻和(hé)諧頻混頻)，具有較高(gāo)的(de)靈敏度(dù);接收(shōu)機(jī)的(de)中(zhōng)頻濾波器为(wèi)矩形(頻譜儀的(de)中(zhōng)頻濾波器为(wèi)高(gāo)斯形)，具有更(gèng)好(hǎo)的(de)選擇性(xìng);接收(shōu)機(jī)适合于(yú)正(zhèng)式測量(liàng)，不(bù)适合于(yú)診断。

EMC試验(yàn)室(shì)有華測(CTI)、SGS、信(xìn)測、信(xìn)華、華通(tòng)威、冠準、莫特(tè)、廣州ETL、廣州五(wǔ)所(suǒ)、東(dōng)莞經(jīng)續、東(dōng)莞沃特(tè)、厚街(jiē)北(běi)南(nán)、长(cháng)安(ān)世鴻、长(cháng)安(ān)碩信(xìn)(ATT)、大(dà)朗信(xìn)寶(bǎo)、塘夏歐标(biāo)、摩爾實(shí)验(yàn)室(shì)、經(jīng)續檢验(yàn)技术有限公(gōng)司等。像美(měi)國(guó)的(de)FCC只測EMI中(zhōng)的(de)輻射和(hé)傳导，不(bù)測EMS。有些(xiē)國(guó)家(jiā)EMI和(hé)EMS是(shì)分(fēn)開(kāi)測的(de)，有些(xiē)國(guó)家(jiā)是(shì)一(yī)起(qǐ)像CCC認證CE認證。現(xiàn)在(zài)很多(duō)電(diàn)器类産品做CE還(huán)要(yào)加測電(diàn)磁波骚擾EMF，标(biāo)準是(shì)EN-50336。電(diàn)源EMI技术就(jiù)算能(néng)达(dá)到(dào)标(biāo)準，有的(de)産品要(yào)求要(yào)达(dá)一(yī)定(dìng)的(de)湿(shī)度(dù)測試。在(zài)深圳湿(shī)試控制都比較難做。深圳幾(jǐ)家(jiā)大(dà)實(shí)验(yàn)室(shì)，都比較難，空(kōng)間(jiān)問(wèn)題(tí)。EMI不(bù)只包(bāo)括傳导，輻射，電(diàn)流諧波與(yǔ)電(diàn)壓閃爍也(yě)是(shì)EMI的(de)部(bù)分(fēn)。諧波和(hé)閃爍是(shì)設備对(duì)外(wài)的(de)，而(ér)不(bù)是(shì)外(wài)界对(duì)設備的(de)，所(suǒ)以(yǐ)是(shì)EMI，不(bù)是(shì)EMS。

功率開(kāi)關(guān)器件(jiàn)的(de)高(gāo)额開(kāi)關(guān)動(dòng)作(zuò)是(shì)导致(zhì)開(kāi)關(guān)電(diàn)源産生(shēng)電(diàn)磁干(gàn)擾(EMI)的(de)主(zhǔ)要(yào)原因(yīn)。開(kāi)關(guān)頻率的(de)提(tí)高(gāo)一(yī)方(fāng)面(miàn)減小了電(diàn)源的(de)體(tǐ)積和(hé)重(zhòng)量(liàng)，另(lìng)一(yī)方(fāng)面(miàn)也(yě)导致(zhì)了更(gèng)为(wèi)嚴重(zhòng)的(de)EMI問(wèn)題(tí)。開(kāi)關(guān)電(diàn)源工作(zuò)时(shí)，其(qí)內(nèi)部(bù)的(de)電(diàn)壓和(hé)電(diàn)流波形都是(shì)在(zài)非(fēi)常短(duǎn)的(de)时(shí)間(jiān)內(nèi)上(shàng)升(shēng)和(hé)下(xià)降的(de)，因(yīn)此(cǐ)，開(kāi)關(guān)電(diàn)源本(běn)身(shēn)是(shì)一(yī)个(gè)噪聲發(fà)生(shēng)源。開(kāi)關(guān)電(diàn)源産生(shēng)的(de)干(gàn)擾，按噪聲干(gàn)擾源種(zhǒng)类来(lái)分(fēn),可(kě)分(fēn)为(wèi)尖峰(fēng)干(gàn)擾和(hé)諧波干(gàn)擾两(liǎng)種(zhǒng);若按耦合通(tòng)路(lù)来(lái)分(fēn),可(kě)分(fēn)为(wèi)傳导干(gàn)擾和(hé)輻射干(gàn)擾两(liǎng)種(zhǒng)。使電(diàn)源産生(shēng)的(de)干(gàn)擾不(bù)至(zhì)于(yú)对(duì)電(diàn)子系(xì)統和(hé)電(diàn)网(wǎng)造成(chéng)危害的(de)根(gēn)本(běn)辦(bàn)法(fǎ)是(shì)削弱(ruò)噪聲發(fà)生(shēng)源，或(huò)者(zhě)切(qiè)断電(diàn)源噪聲和(hé)電(diàn)子系(xì)統、電(diàn)网(wǎng)之(zhī)間(jiān)的(de)耦合途徑。現(xiàn)在(zài)按噪聲干(gàn)擾源来(lái)分(fēn)别说(shuō)明(míng)：

1、二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)反(fǎn)向(xiàng)恢複时(shí)間(jiān)引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾

交流输入(rù)電(diàn)壓經(jīng)功率二(èr)极(jí)管(guǎn)整流橋(qiáo)變(biàn)为(wèi)正(zhèng)弦脉動(dòng)電(diàn)壓，經(jīng)電(diàn)容平滑後(hòu)變(biàn)为(wèi)直(zhí)流，但電(diàn)容電(diàn)流的(de)波形不(bù)是(shì)正(zhèng)弦波而(ér)是(shì)脉沖波。由電(diàn)流波形可(kě)知，電(diàn)流中(zhōng)含有高(gāo)次諧波。大(dà)量(liàng)電(diàn)流諧波分(fēn)量(liàng)流入(rù)電(diàn)网(wǎng)，造成(chéng)对(duì)電(diàn)网(wǎng)的(de)諧波污染。另(lìng)外(wài)，由于(yú)電(diàn)流是(shì)脉沖波，使電(diàn)源输入(rù)功率因(yīn)數降低(dī)。

高(gāo)頻整流回(huí)路(lù)中(zhōng)的(de)整流二(èr)极(jí)管(guǎn)正(zhèng)向(xiàng)导通(tòng)时(shí)有較大(dà)的(de)正(zhèng)向(xiàng)電(diàn)流流过(guò)，在(zài)其(qí)受反(fǎn)偏電(diàn)壓而(ér)轉(zhuǎn)向(xiàng)截止时(shí)，由于(yú)PN結中(zhōng)有較多(duō)的(de)载(zài)流子積累，因(yīn)而(ér)在(zài)载(zài)流子消失之(zhī)前(qián)的(de)一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)里(lǐ)，電(diàn)流会(huì)反(fǎn)向(xiàng)流動(dòng)，致(zhì)使载(zài)流子消失的(de)反(fǎn)向(xiàng)恢複電(diàn)流急劇減少(shǎo)而(ér)發(fà)生(shēng)很大(dà)的(de)電(diàn)流變(biàn)化(huà)(di/dt)。

2、開(kāi)關(guān)管(guǎn)工作(zuò)时(shí)産生(shēng)的(de)諧波干(gàn)擾

功率開(kāi)關(guān)管(guǎn)在(zài)导通(tòng)时(shí)流过(guò)較大(dà)的(de)脉沖電(diàn)流。例如(rú)正(zhèng)激型、推挽型和(hé)橋(qiáo)式變(biàn)換器的(de)输入(rù)電(diàn)流波形在(zài)阻性(xìng)負载(zài)时(shí)近(jìn)似为(wèi)矩形波,其(qí)中(zhōng)含有豐富的(de)高(gāo)次諧波分(fēn)量(liàng)。當采用(yòng)零(líng)電(diàn)流、零(líng)電(diàn)壓開(kāi)關(guān)时(shí),这(zhè)種(zhǒng)諧波干(gàn)擾将会(huì)很小。另(lìng)外(wài),功率開(kāi)關(guān)管(guǎn)在(zài)截止期(qī)間(jiān),高(gāo)頻變(biàn)壓器繞組漏感(gǎn)引起(qǐ)的(de)電(diàn)流突變(biàn),也(yě)会(huì)産生(shēng)尖峰(fēng)干(gàn)擾。

3、交流输入(rù)回(huí)路(lù)産生(shēng)的(de)干(gàn)擾

無工頻變(biàn)壓器的(de)開(kāi)關(guān)電(diàn)源输入(rù)端整流管(guǎn)在(zài)反(fǎn)向(xiàng)恢複期(qī)間(jiān)会(huì)引起(qǐ)高(gāo)頻衰減振蕩産生(shēng)干(gàn)擾。開(kāi)關(guān)電(diàn)源産生(shēng)的(de)尖峰(fēng)干(gàn)擾和(hé)諧波干(gàn)擾能(néng)量(liàng)，通(tòng)过(guò)開(kāi)關(guān)電(diàn)源的(de)输入(rù)输出(chū)線(xiàn)傳播出(chū)去(qù)而(ér)形成(chéng)的(de)干(gàn)擾稱之(zhī)为(wèi)傳导干(gàn)擾;而(ér)諧波和(hé)寄生(shēng)振蕩的(de)能(néng)量(liàng)，通(tòng)过(guò)输入(rù)输出(chū)線(xiàn)傳播时(shí)，都会(huì)在(zài)空(kōng)間(jiān)産生(shēng)電(diàn)场(chǎng)和(hé)磁场(chǎng)。这(zhè)種(zhǒng)通(tòng)过(guò)電(diàn)磁輻射産生(shēng)的(de)干(gàn)擾稱为(wèi)輻射干(gàn)擾。

4、其(qí)他原因(yīn)

元(yuán)器件(jiàn)的(de)寄生(shēng)参數，開(kāi)關(guān)電(diàn)源的(de)原理(lǐ)图(tú)設計(jì)不(bù)夠完美(měi)，印(yìn)刷線(xiàn)路(lù)闆(PCB)走(zǒu)線(xiàn)通(tòng)常采用(yòng)手(shǒu)工布(bù)置，具有很大(dà)的(de)随意(yì)性(xìng)，PCB的(de)近(jìn)场(chǎng)干(gàn)擾大(dà)，並(bìng)且(qiě)印(yìn)刷闆上(shàng)器件(jiàn)的(de)安(ān)裝(zhuāng)、放(fàng)置，以(yǐ)及方(fāng)位(wèi)的(de)不(bù)合理(lǐ)都会(huì)造成(chéng)EMI干(gàn)擾。这(zhè)增加了PCB分(fēn)布(bù)参數的(de)提(tí)取(qǔ)和(hé)近(jìn)场(chǎng)干(gàn)擾估計(jì)的(de)難度(dù)。

Flyback架構noise在(zài)頻譜上(shàng)的(de)反(fǎn)應(yìng)

0.15MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)開(kāi)關(guān)頻率的(de)3次諧波引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾。

0.2MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)開(kāi)關(guān)頻率的(de)4次諧波和(hé)Mosfet振蕩2(190.5KHz)基波的(de)叠加，引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;所(suǒ)以(yǐ)这(zhè)部(bù)分(fēn)較強(qiáng)。

0.25MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)開(kāi)關(guān)頻率的(de)5次諧波引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;

0.35MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)開(kāi)關(guān)頻率的(de)7次諧波引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;

NG-BOTTOM:0px;WIDOWS:2;TEXT-TRANSFORM:none;TEXT-INDENT:2em;MARGIN:10px25px0px;PADDING-LEFT:0px;PADDING-RIGHT:0px;FONT:14px/22px宋體(tǐ),Georgia,verdana,serif;WHITE-SPACE:normal;ORPHANS:2;LETTER-SPACING:normal;COLOR:rgb(68,68,68);WORD-SPACING:0px;PADDING-TOP:0px;-webkit-text-size-adjust:auto;-webkit-text-stroke-width:0px">0.39MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)開(kāi)關(guān)頻率的(de)8次諧波和(hé)Mosfet振蕩2(190.5KHz)基波的(de)叠加引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;

1.31MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)Diode振蕩1(1.31MHz)的(de)基波引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;

3.3MHz處(chù)産生(shēng)的(de)振蕩是(shì)Mosfet振蕩1(3.3MHz)的(de)基波引起(qǐ)的(de)干(gàn)擾;

開(kāi)關(guān)管(guǎn)、整流二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)振蕩会(huì)産生(shēng)較強(qiáng)的(de)干(gàn)擾

1.把(bǎ)噪音(yīn)電(diàn)路(lù)节(jié)點(diǎn)的(de)PCB铜箔面(miàn)積最(zuì)大(dà)限度(dù)地(dì)減小;如(rú)開(kāi)關(guān)管(guǎn)的(de)漏极(jí)、集電(diàn)极(jí)，初次級繞組的(de)节(jié)點(diǎn)，等。

2.使输入(rù)和(hé)输出(chū)端遠(yuǎn)離噪音(yīn)元(yuán)件(jiàn)，如(rú)變(biàn)壓器線(xiàn)包(bāo)，變(biàn)壓器磁芯，開(kāi)關(guān)管(guǎn)的(de)散热(rè)片，等等。

3.使噪音(yīn)元(yuán)件(jiàn)(如(rú)未遮蔽的(de)變(biàn)壓器線(xiàn)包(bāo)，未遮蔽的(de)變(biàn)壓器磁芯，和(hé)開(kāi)關(guān)管(guǎn)，等等)遠(yuǎn)離外(wài)殼(ké)邊(biān)緣，因(yīn)为(wèi)在(zài)正(zhèng)常操作(zuò)下(xià)外(wài)殼(ké)邊(biān)緣很可(kě)能(néng)靠近(jìn)外(wài)面(miàn)的(de)接地(dì)線(xiàn)。

4.如(rú)果(guǒ)變(biàn)壓器沒(méi)有使用(yòng)電(diàn)场(chǎng)屏蔽，要(yào)保持(chí)屏蔽體(tǐ)和(hé)散热(rè)片遠(yuǎn)離變(biàn)壓器。

5.盡量(liàng)減小以(yǐ)下(xià)電(diàn)流环(huán)的(de)面(miàn)積：次級(输出(chū))整流器，初級開(kāi)關(guān)功率器件(jiàn)，栅极(jí)(基极(jí))驅動(dòng)線(xiàn)路(lù)，輔助整流器。

6.不(bù)要(yào)将門(mén)极(jí)(基极(jí))的(de)驅動(dòng)返饋环(huán)路(lù)和(hé)初級開(kāi)關(guān)電(diàn)路(lù)或(huò)輔助整流電(diàn)路(lù)混在(zài)一(yī)起(qǐ)。

7.調整優化(huà)阻尼電(diàn)阻值，使它(tā)在(zài)開(kāi)關(guān)的(de)死區(qū)时(shí)間(jiān)里(lǐ)不(bù)産生(shēng)振鈴響聲。

8.防止EMI濾波電(diàn)感(gǎn)飽和(hé)。

9.使拐彎节(jié)點(diǎn)和(hé)次級電(diàn)路(lù)的(de)元(yuán)件(jiàn)遠(yuǎn)離初級電(diàn)路(lù)的(de)屏蔽體(tǐ)或(huò)者(zhě)開(kāi)關(guān)管(guǎn)的(de)散热(rè)片。

10.保持(chí)初級電(diàn)路(lù)的(de)擺動(dòng)的(de)节(jié)點(diǎn)和(hé)元(yuán)件(jiàn)本(běn)體(tǐ)遠(yuǎn)離屏蔽或(huò)者(zhě)散热(rè)片。

11.使高(gāo)頻输入(rù)的(de)EMI濾波器靠近(jìn)输入(rù)電(diàn)缆(lǎn)或(huò)者(zhě)連(lián)接器端。

12.保持(chí)高(gāo)頻输出(chū)的(de)EMI濾波器靠近(jìn)输出(chū)電(diàn)線(xiàn)端子。

13.使EMI濾波器对(duì)面(miàn)的(de)PCB闆的(de)铜箔和(hé)元(yuán)件(jiàn)本(běn)體(tǐ)之(zhī)間(jiān)保持(chí)一(yī)定(dìng)距離。

14.在(zài)輔助線(xiàn)圈的(de)整流器的(de)線(xiàn)路(lù)上(shàng)放(fàng)一(yī)些(xiē)電(diàn)阻。

15.在(zài)磁棒線(xiàn)圈上(shàng)並(bìng)聯阻尼電(diàn)阻。

16.在(zài)输出(chū)RF濾波器两(liǎng)端並(bìng)聯阻尼電(diàn)阻。

17.在(zài)PCB設計(jì)时(shí)允許放(fàng)1nF/500V陶瓷電(diàn)容器或(huò)者(zhě)還(huán)可(kě)以(yǐ)是(shì)一(yī)串電(diàn)阻，跨接在(zài)變(biàn)壓器的(de)初級的(de)静(jìng)端和(hé)輔助繞組之(zhī)間(jiān)。

18.保持(chí)EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變(biàn)壓器;尤其(qí)是(shì)避免定(dìng)位(wèi)在(zài)繞包(bāo)的(de)端部(bù)。

19.在(zài)PCB面(miàn)積足夠的(de)情(qíng)況下(xià),可(kě)在(zài)PCB上(shàng)留下(xià)放(fàng)屏蔽繞組用(yòng)的(de)腳(jiǎo)位(wèi)和(hé)放(fàng)RC阻尼器的(de)位(wèi)置，RC阻尼器可(kě)跨接在(zài)屏蔽繞組两(liǎng)端。

20.空(kōng)間(jiān)允許的(de)話(huà)在(zài)開(kāi)關(guān)功率场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)的(de)漏极(jí)和(hé)門(mén)极(jí)之(zhī)間(jiān)放(fàng)一(yī)个(gè)小徑向(xiàng)引線(xiàn)電(diàn)容器(米勒電(diàn)容，10皮(pí)法(fǎ)/1千(qiān)伏電(diàn)容)。

21.空(kōng)間(jiān)允許的(de)話(huà)放(fàng)一(yī)个(gè)小的(de)RC阻尼器在(zài)直(zhí)流输出(chū)端。

22.不(bù)要(yào)把(bǎ)AC插座與(yǔ)初級開(kāi)關(guān)管(guǎn)的(de)散热(rè)片靠在(zài)一(yī)起(qǐ)。

作(zuò)为(wèi)工作(zuò)于(yú)開(kāi)關(guān)狀态的(de)能(néng)量(liàng)轉(zhuǎn)換裝(zhuāng)置，開(kāi)關(guān)電(diàn)源的(de)電(diàn)壓、電(diàn)流變(biàn)化(huà)率很高(gāo)，産生(shēng)的(de)干(gàn)擾強(qiáng)度(dù)較大(dà);干(gàn)擾源主(zhǔ)要(yào)集中(zhōng)在(zài)功率開(kāi)關(guān)期(qī)間(jiān)以(yǐ)及與(yǔ)之(zhī)相連(lián)的(de)散热(rè)器和(hé)高(gāo)平變(biàn)壓器，相对(duì)于(yú)數字(zì)電(diàn)路(lù)干(gàn)擾源的(de)位(wèi)置較为(wèi)清(qīng)楚;開(kāi)關(guān)頻率不(bù)高(gāo)(從幾(jǐ)十(shí)千(qiān)赫和(hé)數兆(zhào)赫茲)，主(zhǔ)要(yào)的(de)干(gàn)擾形式是(shì)傳导干(gàn)擾和(hé)近(jìn)场(chǎng)干(gàn)擾;而(ér)印(yìn)刷線(xiàn)路(lù)闆(PCB)走(zǒu)線(xiàn)通(tòng)常采用(yòng)手(shǒu)工布(bù)線(xiàn)，具有更(gèng)大(dà)的(de)随意(yì)性(xìng)，这(zhè)增加了PCB分(fēn)布(bù)参數的(de)提(tí)取(qǔ)和(hé)近(jìn)场(chǎng)干(gàn)擾估計(jì)的(de)難度(dù)。

1MHZ以(yǐ)內(nèi)----以(yǐ)差模干(gàn)擾为(wèi)主(zhǔ),增大(dà)X電(diàn)容就(jiù)可(kě)解(jiě)決

1MHZ---5MHZ---差模共(gòng)模混合,采用(yòng)输入(rù)端並(bìng)一(yī)系(xì)列X電(diàn)容来(lái)濾除差摸干(gàn)擾並(bìng)分(fēn)析出(chū)是(shì)哪種(zhǒng)干(gàn)擾超标(biāo)並(bìng)解(jiě)決;

5M---以(yǐ)上(shàng)以(yǐ)共(gòng)摸干(gàn)擾为(wèi)主(zhǔ),采用(yòng)抑制共(gòng)摸的(de)方(fāng)法(fǎ).对(duì)于(yú)外(wài)殼(ké)接地(dì)的(de),在(zài)地(dì)線(xiàn)上(shàng)用(yòng)一(yī)个(gè)磁环(huán)繞2圈会(huì)对(duì)10MHZ以(yǐ)上(shàng)干(gàn)擾有較大(dà)的(de)衰減(diudiu2006);对(duì)于(yú)25--30MHZ不(bù)过(guò)可(kě)以(yǐ)采用(yòng)加大(dà)对(duì)地(dì)Y電(diàn)容、在(zài)變(biàn)壓器外(wài)面(miàn)包(bāo)铜皮(pí)、改變(biàn)PCBLAYOUT、输出(chū)線(xiàn)前(qián)面(miàn)接一(yī)个(gè)双(shuāng)線(xiàn)並(bìng)繞的(de)小磁环(huán),最(zuì)少(shǎo)繞10圈、在(zài)输出(chū)整流管(guǎn)两(liǎng)端並(bìng)RC濾波器.

30---50MHZ普遍(biàn)是(shì)MOS管(guǎn)高(gāo)速開(kāi)通(tòng)關(guān)断引起(qǐ),可(kě)以(yǐ)用(yòng)增大(dà)MOS驅動(dòng)電(diàn)阻,RCD緩沖電(diàn)路(lù)采用(yòng)1N4007慢(màn)管(guǎn),VCC供電(diàn)電(diàn)壓用(yòng)1N4007慢(màn)管(guǎn)来(lái)解(jiě)決.

100---200MHZ普遍(biàn)是(shì)输出(chū)整流管(guǎn)反(fǎn)向(xiàng)恢複電(diàn)流引起(qǐ),可(kě)以(yǐ)在(zài)整流管(guǎn)上(shàng)串磁珠(zhū)

100MHz-200MHz之(zhī)間(jiān)大(dà)部(bù)分(fēn)出(chū)于(yú)PFCMOSFET及PFC二(èr)极(jí)管(guǎn),現(xiàn)在(zài)MOSFET及PFC二(èr)极(jí)管(guǎn)串磁珠(zhū)有效果(guǒ),水(shuǐ)平方(fāng)向(xiàng)基本(běn)可(kě)以(yǐ)解(jiě)決問(wèn)題(tí),但垂直(zhí)方(fāng)向(xiàng)就(jiù)很無奈了

開(kāi)關(guān)電(diàn)源的(de)輻射一(yī)般只会(huì)影響到(dào)100M以(yǐ)下(xià)的(de)頻段(duàn).也(yě)可(kě)以(yǐ)在(zài)MOS,二(èr)极(jí)管(guǎn)上(shàng)加相應(yìng)吸收(shōu)回(huí)路(lù),但效率会(huì)有所(suǒ)降低(dī)。

1MHZ以(yǐ)內(nèi)----以(yǐ)差模干(gàn)擾为(wèi)主(zhǔ)

1.增大(dà)X電(diàn)容量(liàng);

2.添加差模電(diàn)感(gǎn);

-SPACING:0px;PADDING-TOP:0px;-webkit-text-size-adjust:auto;-webkit-text-stroke-width:0px">3.小功率電(diàn)源可(kě)采用(yòng)PI型濾波器處(chù)理(lǐ)(建議靠近(jìn)變(biàn)壓器的(de)電(diàn)解(jiě)電(diàn)容可(kě)選用(yòng)較大(dà)些(xiē))。1MHZ---5MHZ---差模共(gòng)模混合，采用(yòng)输入(rù)端並(bìng)聯一(yī)系(xì)列X電(diàn)容来(lái)濾除差摸干(gàn)擾並(bìng)分(fēn)析出(chū)是(shì)哪種(zhǒng)干(gàn)擾超标(biāo)並(bìng)以(yǐ)解(jiě)決：

1.对(duì)于(yú)差模干(gàn)擾超标(biāo)可(kě)調整X電(diàn)容量(liàng),添加差模電(diàn)感(gǎn)器，調差模電(diàn)感(gǎn)量(liàng);

2.对(duì)于(yú)共(gòng)模干(gàn)擾超标(biāo)可(kě)添加共(gòng)模電(diàn)感(gǎn),選用(yòng)合理(lǐ)的(de)電(diàn)感(gǎn)量(liàng)来(lái)抑制;

3.也(yě)可(kě)改變(biàn)整流二(èr)极(jí)管(guǎn)特(tè)性(xìng)来(lái)處(chù)理(lǐ)一(yī)对(duì)快(kuài)速二(èr)极(jí)管(guǎn)如(rú)FR107一(yī)对(duì)普通(tòng)整流二(èr)极(jí)管(guǎn)1N4007。

5M---以(yǐ)上(shàng)以(yǐ)共(gòng)摸干(gàn)擾为(wèi)主(zhǔ)，采用(yòng)抑制共(gòng)摸的(de)方(fāng)法(fǎ)

对(duì)于(yú)外(wài)殼(ké)接地(dì)的(de)，在(zài)地(dì)線(xiàn)上(shàng)用(yòng)一(yī)个(gè)磁环(huán)串繞2-3圈会(huì)对(duì)10MHZ以(yǐ)上(shàng)干(gàn)擾有較大(dà)的(de)衰減作(zuò)用(yòng);可(kě)選擇緊贴變(biàn)壓器的(de)铁(tiě)芯粘铜箔,铜箔闭环(huán).處(chù)理(lǐ)後(hòu)端输出(chū)整流管(guǎn)的(de)吸收(shōu)電(diàn)路(lù)和(hé)初級大(dà)電(diàn)路(lù)並(bìng)聯電(diàn)容的(de)大(dà)小。

对(duì)于(yú)20--30MHZ，

1.对(duì)于(yú)一(yī)类産品可(kě)以(yǐ)采用(yòng)調整对(duì)地(dì)Y2電(diàn)容量(liàng)或(huò)改變(biàn)Y2電(diàn)容位(wèi)置;

2.調整一(yī)二(èr)次側間(jiān)的(de)Y1電(diàn)容位(wèi)置及参數值;

3.在(zài)變(biàn)壓器外(wài)面(miàn)包(bāo)铜箔;變(biàn)壓器最(zuì)里(lǐ)层(céng)加屏蔽层(céng);調整變(biàn)壓器的(de)各(gè)繞組的(de)排布(bù)。

4.改變(biàn)PCBLAYOUT;

5.输出(chū)線(xiàn)前(qián)面(miàn)接一(yī)个(gè)双(shuāng)線(xiàn)並(bìng)繞的(de)小共(gòng)模電(diàn)感(gǎn);

6.在(zài)输出(chū)整流管(guǎn)两(liǎng)端並(bìng)聯RC濾波器且(qiě)調整合理(lǐ)的(de)参數;

7.在(zài)變(biàn)壓器與(yǔ)MOSFET之(zhī)間(jiān)加BEADCORE;

8.在(zài)變(biàn)壓器的(de)输入(rù)電(diàn)壓腳(jiǎo)加一(yī)个(gè)小電(diàn)容。

9.可(kě)以(yǐ)用(yòng)增大(dà)MOS驅動(dòng)電(diàn)阻.

30---50MHZ普遍(biàn)是(shì)MOS管(guǎn)高(gāo)速開(kāi)通(tòng)關(guān)断引起(qǐ)，

1.可(kě)以(yǐ)用(yòng)增大(dà)MOS驅動(dòng)電(diàn)阻;

2.RCD緩沖電(diàn)路(lù)采用(yòng)1N4007慢(màn)管(guǎn);

3.VCC供電(diàn)電(diàn)壓用(yòng)1N4007慢(màn)管(guǎn)来(lái)解(jiě)決;

4.或(huò)者(zhě)输出(chū)線(xiàn)前(qián)端串接一(yī)个(gè)双(shuāng)線(xiàn)並(bìng)繞的(de)小共(gòng)模電(diàn)感(gǎn);

5.在(zài)MOSFET的(de)D-S腳(jiǎo)並(bìng)聯一(yī)个(gè)小吸收(shōu)電(diàn)路(lù);

6.在(zài)變(biàn)壓器與(yǔ)MOSFET之(zhī)間(jiān)加BEADCORE;

7.在(zài)變(biàn)壓器的(de)输入(rù)電(diàn)壓腳(jiǎo)加一(yī)个(gè)小電(diàn)容;

8.PCB心(xīn)LAYOUT时(shí)大(dà)電(diàn)解(jiě)電(diàn)容，變(biàn)壓器，MOS構成(chéng)的(de)電(diàn)路(lù)环(huán)盡可(kě)能(néng)的(de)小;

9.變(biàn)壓器，输出(chū)二(èr)极(jí)管(guǎn)，输出(chū)平波電(diàn)解(jiě)電(diàn)容構成(chéng)的(de)電(diàn)路(lù)环(huán)盡可(kě)能(néng)的(de)小。

50---100MHZ普遍(biàn)是(shì)输出(chū)整流管(guǎn)反(fǎn)向(xiàng)恢複電(diàn)流引起(qǐ)，

1.可(kě)以(yǐ)在(zài)整流管(guǎn)上(shàng)串磁珠(zhū);

2.調整输出(chū)整流管(guǎn)的(de)吸收(shōu)電(diàn)路(lù)参數;

3.可(kě)改變(biàn)一(yī)二(èr)次側跨接Y電(diàn)容支路(lù)的(de)阻抗,如(rú)PIN腳(jiǎo)處(chù)加BEADCORE或(huò)串接适當的(de)電(diàn)阻;

4.也(yě)可(kě)改變(biàn)MOSFET，输出(chū)整流二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)本(běn)體(tǐ)向(xiàng)空(kōng)間(jiān)的(de)輻射(如(rú)铁(tiě)夾卡MOSFET;铁(tiě)夾卡DIODE，改變(biàn)散热(rè)器的(de)接地(dì)點(diǎn))。

5.增加屏蔽铜箔抑制向(xiàng)空(kōng)間(jiān)輻射.

200MHZ以(yǐ)上(shàng)開(kāi)關(guān)電(diàn)源已基本(běn)輻射量(liàng)很小，一(yī)般可(kě)过(guò)EMI标(biāo)準。